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IXTU12N06T
IXTY12N06T
Fig. 1. Output Characteristics
@ 25oC
Fig. 2. Extended Output Characteristics
@ 25oC
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
32
28
24
20
16
12
8
4
0
V GS = 10V
9V
8V
7V
6V
5V
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics
@ 150oC
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Junction Temperature
12
11
10
9
V GS = 10V
9V
8V
2.2
2.0
1.8
V GS = 10V
8
7
6
7V
6V
1.6
1.4
I D = 12A
I D = 6A
5
4
1.2
3
2
1
0
5V
1.0
0.8
0.6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.5
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 6A Value
vs. Drain Current
V GS = 10V
13
12
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Drain Current vs. Case Temperature
3.0
2.5
15V - - - -
T J = 175oC
11
10
9
8
7
2.0
1.5
6
5
4
3
1.0
0.5
T J = 25oC
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
2008 IXYS CORPORATION All rights reserved
T C - Degrees Centigrade
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IXTU5N50P 功能描述:MOSFET 5 Amps 500V 1.4 Ohms Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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